第143章 改良方案通过！（2/2）

几个人，并不难猜。

他的心中顿时一片火热。

随即，目光变得坚定。

“既然如此，那就尽快开始吧！”他沉声开口：“通过浸没式加多重曝光，是现在最快实现45纳米光刻技术的方式！”

了解过国内的光源技术之后，他就己经明白，想要短时间内真正做出45纳米光刻机几乎没有可能。

就算实验室内能够做出来，也不可能投入量产。

设备条件太差了。

只能通过一些核心技术的改良，在现有设备的基础上去完成45纳米的光刻技术。

这也是实现量产的唯一可能！

之后可以再慢慢进行设备的升级！

“能详细说说吗？”

这时，何兴伟也走进了研讨室。

周凡看着两人，轻轻点头，再次开口道：“我的想法是，先改进ArF准分子激光器，开发248nm光源加上双重曝光，用以替代193nm激光器！”

“当然，这个替代方案对精准度要求很高，但可以通过优化操作系统去解决这个问题！”

“具体的研发方向是...用窄线宽半导体激光器作为‘种子’放大后提升平铺纯度......”

“采用磁悬浮电极减少物理腐蚀，气体流场仿真优化湍流控制...基于FPGA的反馈系统，每脉冲调整电压/气体比例......”

“......”

随着周凡的讲解，蓝博文跟何兴伟神色变得越来越严肃，下意识拿出笔记本记录起来。

整个研讨室，只剩下周凡和沙沙写字的声音。